RE200B PIR Human Infrared Sensor Phototransistor dual pyroelectric

Sensor ini menggunakan karakteristik polarisasi material piroelektrik dengan perubahan suhu untuk mendeteksi radiasi inframerah, metode komplementer elemen sensitivitas ganda untuk menekan gangguan yang disebabkan oleh perubahan suhu, dan meningkatkan stabilitas sensor.

Model RE200B
Area sensitif dari bahan substrat elemen 2.0 1.0mm2
Ketebalan substrat silikon 0.5mm
Panjang gelombang operasi 7-14m
Transmisi rata-rata \ u003e 75%
Sinyal keluaran \ u003e 2.5V (420 k blackbody 1Hz frekuensi modulasi bandwidth 0,3-3,0Hz penguatan 72,5db)
Kebisingan \ u003c200mV (mVp-p) (25)
Saldo \ u003c 20%
Tegangan operasi 2.2-15V
Bekerja saat ini 8.5-24A (VD = 10V, Rs = 47k, 25)
Sumber tegangan 0.4-1.1V (VD = 10V, Rs = 47k, 25)
Suhu pengoperasian -20 - + 70
Suhu penyimpanan -35 - + 80 bidang 139126